...
...

KINGMAX DDR3 Nano Gaming Ram совместима с Intel 6 Series

KINGMAX сообщила о полной совместимости с чипсетом серии Intel 6 своих ведущих модулей памяти серии Nano Gaming Ram. Чипсет Intel 6 Series высокой мощности (около 6,1 Вт) построен на микроархитектуре нового поколения Sandy Bridge и служит хорошей платформой для массового пользователя благодаря мощным возможностям. Модули памяти KINGMAX Nano Gaming Ram с технологией Nano Thermal Dissipation уменьшают тепловыделение и обеспечивают отличную циркуляцию воздуха внутри корпуса, повышая стабильность работы системы.

Кроме того, чипсет серии Intel 6 обеспечивает более гибкую настройку параметров процессорных ядер и памяти, позволяя максимально реализовать потенциал памяти KINGMAX Nano Gaming Ram и обеспечить плавную работу мультимедийных функций. Графические и визуальные функции новой платформы с памятью KINGMAX Nano Gaming Ram работают более эффективно.

На материнских платах, построенных на чипсете Intel 6, память KINGMAX Nano Gaming Ram 2400МГц показывает производительность на 30% выше, чем 1333МГц в тесте AIDA64 Extreme Edition и MaxxMEM2.

Новые модули KINGMAX 2400МГц имеют объем 4 ГБ. С увеличением производительности и объема усложняется и процесс производства памяти. Одноканальные 4 ГБ модули на 2400 МГц под силу только тем производителям, которые способны обеспечить лучшее качество чипов. Кроме того, запатентованная технология NANO Gaming RAM повышает эффективность охлаждения на 10% по сравнению с традиционными радиаторами. В неэкстремальных условиях работы память KINGMAX Nano Gaming Ram обеспечивает высокую надежность работы при малом энергопотреблении.





Особенности KINGMAX DDR3 Nano Gaming Ram :
- Технология Nano Thermal Dissipation
- ASIC-чип для антиконтрафактных целей
- Бессвинцовый процесс производства
- Технология TinyBGATM: компактный размер, хорошее отведение тепла и низкие наводки.
- Высокая совместимость и стабильность
- Высокая скорость передачи данных для оверклокеров и геймеров.

Спецификации KINGMAX DDR3 Nano Gaming Ram:
- 240-pin DDR3 1600/2000/2200/2400 МГц
- CAS-латентность: 1600/2000 МГц – CL9
2200/2400 МГц – CL10
- Полоса пропускания: 1600 МГц (12.8GB/s); 2000МГц (16GB/s); 2200МГц (17.6GB/s);
2400МГц (19.2GB/s)
- Напряжение: 1.5~1.8В
- Объем: одноканальный: 1/2/4 ГБ
Два канала: 2/4/8 ГБ
Три канала: 3/6/12 ГБ.



© Компьютерная газета