...
...

Samsung начала выпуск 32-гигабитной флэш-памяти NAND

Samsung Electronics объявила о начале серийного производства 32-гигабитной флэш-памяти NAND на основе технологии многоуровневых ячеек по 30-нм техпроцессу с асинхронным DDR интерфейсом. DDR NAND значительно увеличит скорость чтения и емкость носителей памяти. Новая NAND память Samsung на основе технологии многоуровневых ячеек обеспечивает скорость чтения 133 Мбит\сек, что значительно превосходит показатели SDR NAND чипов (40Мбит\сек).

DDR NAND память на основе технологии многоуровневых ячеек является одним из основных элементов, расширяющих ассортимент зеленых решений Samsung в сегменте памяти. Новые асинхронные чипы памяти Samsung могут использоваться в твердотельных дисках (SSD), SD картах и собственной памяти Samsung moviNANDTM. Кроме того, новая память является подходящим решением для MP3 и медиаплееров, а также для автомобильных навигационных систем.

При использовании нового решения DDR в картах памяти сигналы передачи данных дублируются, что позволяет достичь скорости чтения до 60 Мбит\сек, что на 300% превосходит средний результат SDR NAND (17 Мбит\сек). Согласно исследованию Gartner Dataquest, объем мирового рынка NAND флеш-памяти по итогам 2009 года составит 13,8 млрд. долл. США, а к 2012 году достигнет 23,6 млрд. долл. США.



© Компьютерная газета