...
...

4 Гбит микросхема памяти Samsung

Корпорация Samsung разработала микросхему оперативной памяти DDR3 емкостью 4 Гбит, выполненную с соблюдением норм 50-нанометрового техпроцесса. Новинка потребляет 1,35 В и позволяет увеличить объем модуля оперативной памяти до 32 Гб. Энергопотребление же 16 Гб модуля DDR3 на основе 4 Гбит микросхем на 40 процентов меньше показателя аналогичного модуля, созданного на основе 2 Гбит чипов.

Как отмечает производитель, 4 Гбит чипы памяти DDR3 могут использоваться в 16 Гб серверных модулях оперативной памяти RDIMM. Кроме того, они могут стать основой 8 Гб модулей памяти для рабочих станций, настольных ПК и ноутбуков. В настоящее время линейка 50-нанометровых чипов оперативной памяти DDR3 компании Samsung включает микросхемы объемом 1, 2 и 4 Гбит.

Samsung



© Компьютерная газета