Подсистема памяти для производителей сотовых телефонов

Компания STMicroelectronics и корпорация Intel объявили о совместном производстве подсистем флэш-памяти, предназначенных для снижения расходов OEM-производителей мобильных телефонов. Это позволит быстрее выводить на рынок мобильные телефоны с более богатыми функциональными возможностями. Стремясь упростить конструкцию памяти для мобильных телефонов, обе компании предоставят аппаратные и программные средства на базе совместных спецификаций. В результате производители мобильных телефонов смогут сократить время разработки новой продукции, снизить издержки и осуществить быстрый и экономичный переход к использованию нового поколения модулей флэш-памяти на базе технологии NOR, выпускаемых этими двумя компаниями.

NOR - наиболее распространенная технология флэш-памяти, применяемая производителями массовых моделей сотовых телефонов. Согласно отраслевым исследованиям фирмы iSuppi, 92,8% встроенной флэш-памяти выпускаемых мобильных телефонов изготовлено по этой технологии. Сегодня компании Intel и ST поставляют более 40% флэш-памяти NOR для мобильных телефонов.

Переход к созданию "второго источника" передовых флэш-модулей NOR и подсистем памяти знаменует начало совместной работы компаний ST и Intel над общими спецификациями памяти. Первой NOR-продукцией, независимо спроектированной и выпущенной обеими компаниями на базе совместных спецификаций, стали 512-мегабитные модули, изготовленные по передовой 90-нанометровой производственной технологии и использующие технологию многоуровневых ячеек (MLC - Multi-Level Cell). Сегодня эта продукция поставляется обеими компаниями. Совместная спецификация на подсистемы памяти будет распространена и на 65-нанометровую производственную технологию для выпуска MLC NOR-модулей и будет предназначена для создания однокристальных MLC NOR-модулей объемом 1 Гбит.

©1997-2024 Компьютерная газета