...
...

Intel начинает строительство нового завода

Корпорация Intel приступила к строительству завода по производству 300-миллиметровых подложек в г. Кирьят-Гат (Израиль). Новый завод, получивший название Fab 28, упрочит лидерство Intel, обеспечив возможность производства начиная со второй половины 2008 года самых современных микропроцессоров с использованием 45-нанометровой технологии. Fab 28 станет уже вторым заводом Intel, на котором будет внедрен 45-нанометровый технологический процесс производства процессоров. Его стоимость составит 3,5 миллиарда долларов.

После ввода в эксплуатацию Fab 28 станет седьмым заводом Intel, производящим 300-миллиметровые подложки. Площадь его стерильного помещения составит примерно 18 тысяч квадратных метров, т.е. примерно равна площади футбольного помещения. Благодаря этому проекту в течение следующих семи лет в корпорации Intel будет создано более 2000 рабочих мест. Правительство Израиля обеспечивает финансовую поддержку строительства нового завода.

Сейчас 300-миллиметровые подложки выпускают пять заводов Intel. Они обладают примерно такой же производственной мощью, как восемь заводов Intel предыдущего поколения, производящих 200-миллиметровые подложки. Эти пять заводов расположены в штатах Орегон, Аризона и Нью-Мексико, а также в Ирландии, где в первом квартале следующего года будет введен в строй дополнительный модуль по производству 300-миллиметровых подложек (Fab 24-2). В июле корпорация Intel объявила о намерении инвестировать более 3 миллиардов долларов в строительство еще одного завода по производству 300-миллиметровых подложек - Fab 32 в Чэндлере (штат Аризона).

Производство 300-миллиметровых подложек позволяет значительно снизить себестоимость изготовления полупроводниковых микросхем по сравнению со стандартными 200-миллиметровыми. При использовании 300-миллиметровых подложек требуется на 40% меньше электроэнергии и воды в расчете на одну микросхему, чем при производстве с использованием 200-миллиметровых подложек. Производственная технология Intel с проектной нормой 45 нм, которая впервые будет применена в массовом производстве на Fab 32, позволит разместить то же количество микросхем на примерно вдвое меньшей площади по сравнению с 90-нм технологией.



© Компьютерная газета