Spansion демонстрирует флэш-память высокой плотности

Компания Spansion LLC, занимающаяся разработкой устройств флэш-памяти, продемонстрировала образец однокристального модуля GL NOR емкостью 1 Гбит, а также действующий образец модуля ORNAND емкостью 1 Гбит на основе 90-нанометровой технологии MirrorBit. Новая 90-нанометровая технология, освоенная на новейшем производстве Spansion в Остине (Техас), станет базой для дальнейшего развития надежной, высокопроизводительной и недорогой флэш-памяти высокой плотности для беспроводных устройств и встроенных систем.

В ходе анонса новых решений на фабрике Fab 25 был продемонстрирован гигабитный модуль ORNAND для беспроводных телефонов, изготовленный по 90-нанометровой технологии MirrorBit. Представители Spansion продемонстрировали мультимедийные технологии, включая фотоаппарат, видеокамеру, воспроизведение звука и видео на модельном АПК (аппаратно-программном комплексе) мобильного телефона с флэш-памятью Spansion NOR для кода и 1-гигабитным модулем MirrorBit ORNAND для хранения данных. Модули Spansion показали высокую скорость чтения, позволившую ускорить загрузку телефона и проигрывание видеофайлов, а также высокую производительность записи, достаточную для съемки видеокамерой QVGA (320x240 пикселов) со скоростью 15 кадров в секунду.

Кроме того, представители Spansion озвучили планы выпуска продукции по 90-нанометровой технологии MirrorBit. Действующие образцы гигабитных устройств архитектуры NOR и ORNAND будут выпущены еще в этом году, а 2-гигабитные устройства ORNAND должны увидеть свет в середине следующего года. Кроме того, в начале 2006 года компания планирует продемонстрировать высокопроизводительный модуль NOR на 1,8 В емкостью 512 мегабит. И наконец, в 2006 году Spansion планирует освоить 65-нанометровую технологию MirrorBit.

Напомним, что новаторская технология MirrorBit, разработанная Spansion, отличается высокой плотностью и низкой стоимостью изготовления флэш-памяти по сравнению с традиционной технологией на основе плавающего затвора. Технология MirrorBit предусматривает изготовление модулей памяти на непроводящей основе, при этом процессе производства на 40% меньше операций, требующих высокой точности, по сравнению с технологией плавающего затвора, что позволяет значительно повысить плотность памяти с одновременным снижением стоимости производства.

©1997-2024 Компьютерная газета