Intel и Corning: разработка основ фотомасок для EUV-литографии
Корпорация Intel и компания Corning Incorporated заключили соглашение о разработке стеклянных основ фотомасок со сверхнизким распространением тепла ULE (low thermal expansion), необходимых для литографии с использованием сверхжесткого ультрафиолетового излучения (Extreme Ultraviolet, EUV). Эти основы нужны для разработки высококачественных фотомасок EUV, позволяющих наладить массовое производство полупроводниковых схем с размером узла 32 нанометра (нм).
В Intel рассчитывают, что благодаря этой программе совместной разработки инструментов литографии производство микросхем с использованием EUV-литографии будет начато уже в 2009 году.
"Одним из важнейших условий разработки коммерчески успешной технологии EUV-литографии является снижение числа дефектов в фотомасках EUV. Вместе с компанией Corning мы хотим устранить один из компонентов этой проблемы - дефекты основ масок, - заявила Дженис Голда (Janice Golda), руководитель отделения литографии корпорации Intel. - Повышение качества масок EUV, а также усилия корпорации Intel, направленные на совершенствование источников света, литографического оборудования и фоторезиста, помогут сформировать инфраструктуру, необходимую для успешного развития и внедрения технологии EUV-литографии".
Литография используется при производстве микросхем для "рисования" схем на кремниевой подложке. В настоящее время применяются инструменты литографии, используемые для "рисования" транзисторов размером всего лишь 50 нм с длиной волны света 193 нм, что похоже на написание портрета малярной кистью. EUV-литография позволит использовать свет с длиной волны 13,5 нм, благодаря чему разработчики микросхем получат очень тонкую "кисть" и смогут "рисовать" уменьшенные транзисторы.
EUV-литография была признана консорциумом International Roadmap of Semiconductor Technology самой перспективной технологией литографии следующего поколения, которая будет реализована после нынешнего поколения инструментов литографии с длиной волны 193 нм.
В Intel рассчитывают, что благодаря этой программе совместной разработки инструментов литографии производство микросхем с использованием EUV-литографии будет начато уже в 2009 году.
"Одним из важнейших условий разработки коммерчески успешной технологии EUV-литографии является снижение числа дефектов в фотомасках EUV. Вместе с компанией Corning мы хотим устранить один из компонентов этой проблемы - дефекты основ масок, - заявила Дженис Голда (Janice Golda), руководитель отделения литографии корпорации Intel. - Повышение качества масок EUV, а также усилия корпорации Intel, направленные на совершенствование источников света, литографического оборудования и фоторезиста, помогут сформировать инфраструктуру, необходимую для успешного развития и внедрения технологии EUV-литографии".
Литография используется при производстве микросхем для "рисования" схем на кремниевой подложке. В настоящее время применяются инструменты литографии, используемые для "рисования" транзисторов размером всего лишь 50 нм с длиной волны света 193 нм, что похоже на написание портрета малярной кистью. EUV-литография позволит использовать свет с длиной волны 13,5 нм, благодаря чему разработчики микросхем получат очень тонкую "кисть" и смогут "рисовать" уменьшенные транзисторы.
EUV-литография была признана консорциумом International Roadmap of Semiconductor Technology самой перспективной технологией литографии следующего поколения, которая будет реализована после нынешнего поколения инструментов литографии с длиной волны 193 нм.
