...
...

Samsung представила 512 Мбит ячейки памяти XDR DRAM

Корпорация Samsung Electronics представила первый 512-мегабитный образец памяти XDR (eXtreme Data Rate) DRAM, произведенный по 90-нм технологии. Это самая быстродействующая на сегодняшний день память для мультимедийных приложений. Новые 512-мегабитные микросхемы XDR DRAM от Samsung способны передавать данные на скорости до 9,6 Гбайт/с - в 12 раз быстрее, чем память DDR400, и в 6 раз быстрее, чем RDRAM(PC800), самая быстрая на сегодня память. При изготовлении новой памяти была применена усовершенствованная 90-нм технология производства микросхем, что позволило достичь пиковой производительности до 4,8 Гбайт/с при напряжении питания 1,8 В.

Память eXtreme Data Rate DRAM предназначена для применения в высокопроизводительных приложениях, оперирующих большими объемами графических данных и требовательных к полосе пропускания памяти, таких как игровые консоли последнего поколения, цифровое телевидение, серверы и рабочие станции high-end класа. XDR DRAM компании Samsung, в частности, используется в игровой приставке PlayStation 3, недавно представленной компанией Sony Computer Entertainment.

Разработанные Samsung Semiconductor ячейки памяти XDR DRAM основаны на применении механизма взаимодействия с памятью XDR, созданного компанией Rambus. Данный стандарт поддерживает широкий спектр требований по вводу/выводу данных и доступен в версии x2, x4, x8 или x16. Согласно данным исследовательской компании IDC, рынок памяти XDR DRAM будет стабильно расти в течение следующих четырех лет (2006-2009) и достигнет уровня 800 млн. шт. условных модулей, эквивалентных 256-Мбит чипам.



© Компьютерная газета