Технологический прорыв в производстве полупроводниковых устройств
Корпорации Advanced Micro Devices (AMD) и IBM сообщили о разработке уникальной технологии производства транзисторов на основе напряженного кремния, позволяющей повысить производительность и снизить энергопотребление процессоров. Новый технологический процесс обеспечивает 24% рост скорости срабатывания транзисторов при сохранении напряжения питания.
Более быстрые и экономичные транзисторы будут применяться для создания более высокопроизводительных процессоров с пониженным энергопотреблением. Чем меньше размер транзистора, тем выше скорость его работы, однако тем серьезнее и опасность подачи повышенного напряжения и перегрева из-за утечки электроэнергии или несовершенства системы коммутации. Напряженный кремний, совместно разработанный компаниями AMD и IBM, позволяет устранить эту опасность. Благодаря новой технологии AMD и IBM стали первыми компаниями в мире, представившими напряженный кремний, который может применяться с технологией размещения кремния на изоляторе (SOI).
AMD планирует постепенно перевести на новую технологию напряженного кремния все процессорные платформы с технологическим процессом на 90 нм, включая процессоры AMD64, которые будут выпускаться в будущем. Первые процессоры AMD64 с технологическим процессом на 90 нм будут представлены в первой половине 2005 года. Корпорация IBM планирует применять новую технологию при производстве различных процессоров с технологическим процессом 90 нм, включая процессоры архитектуры Power. Новые процессоры должны поступить в продажу в первой половине 2005 г.
Новая технология обработки напряженного кремния называется процессом двойной нагрузки (Dual Stress Liner) и позволяет повысить производительность обоих видов транзисторов (pnp и npn) за счет растягивания атомов кремния в одном транзисторе с одновременным сжатием в другом. Процесс двойной нагрузки не требует применения новых дорогостоящих технологий производства полупроводников и позволяет обойтись стандартными инструментами и материалами, что значительно упрощает его массовое внедрение.
Исследователи AMD и IBM первыми в мире смогли повысить производительность транзисторов обоих типов без привлечения нетрадиционных материалов. Технологический процесс ПДН с технологией SOI был разработан инженерами IBM, AMD, Sony и Toshiba в центре исследования и разработки полупроводников IBM, расположенном в Ист-Фишкилле (Нью-Йорк, США), совместно с инженерами AMD из центра Fab 30 в Дрездене (Германия). IBM и AMD начали совместную разработку технологий производства полупроводников нового поколения в январе 2003 года.
Более быстрые и экономичные транзисторы будут применяться для создания более высокопроизводительных процессоров с пониженным энергопотреблением. Чем меньше размер транзистора, тем выше скорость его работы, однако тем серьезнее и опасность подачи повышенного напряжения и перегрева из-за утечки электроэнергии или несовершенства системы коммутации. Напряженный кремний, совместно разработанный компаниями AMD и IBM, позволяет устранить эту опасность. Благодаря новой технологии AMD и IBM стали первыми компаниями в мире, представившими напряженный кремний, который может применяться с технологией размещения кремния на изоляторе (SOI).
AMD планирует постепенно перевести на новую технологию напряженного кремния все процессорные платформы с технологическим процессом на 90 нм, включая процессоры AMD64, которые будут выпускаться в будущем. Первые процессоры AMD64 с технологическим процессом на 90 нм будут представлены в первой половине 2005 года. Корпорация IBM планирует применять новую технологию при производстве различных процессоров с технологическим процессом 90 нм, включая процессоры архитектуры Power. Новые процессоры должны поступить в продажу в первой половине 2005 г.
Новая технология обработки напряженного кремния называется процессом двойной нагрузки (Dual Stress Liner) и позволяет повысить производительность обоих видов транзисторов (pnp и npn) за счет растягивания атомов кремния в одном транзисторе с одновременным сжатием в другом. Процесс двойной нагрузки не требует применения новых дорогостоящих технологий производства полупроводников и позволяет обойтись стандартными инструментами и материалами, что значительно упрощает его массовое внедрение.
Исследователи AMD и IBM первыми в мире смогли повысить производительность транзисторов обоих типов без привлечения нетрадиционных материалов. Технологический процесс ПДН с технологией SOI был разработан инженерами IBM, AMD, Sony и Toshiba в центре исследования и разработки полупроводников IBM, расположенном в Ист-Фишкилле (Нью-Йорк, США), совместно с инженерами AMD из центра Fab 30 в Дрездене (Германия). IBM и AMD начали совместную разработку технологий производства полупроводников нового поколения в январе 2003 года.
