Новая 300-мм фабрика Samsung для выпуска NAND-флэш

Корпорация Samsung Electronics, продолжая наращивать производительные мощности, анонсировала строительство новой 300-мм фабрики, на которой для выпуска продукции будет использоваться 65-нм техпроцесс. Основной направленностью нового производства станет выпуск компонентов NAND-флэш, пробные образцы которых, включая 8 Гбит микросхемы NAND-флэш, правда с применением 70-нм техпроцесса уже некоторое время выпускаются на существующих предприятиях.

Стоит отметить, что на данный момент Samsung имеет в своем распоряжении 300-мм фабрику в Хвасунге, на линиях которой выпускаются микросхемы DDR2 SDRAM, выполненные с использованием 100-нм техпроцесса. Одновременно с этим, на ней же производятся и 2 Гбит компоненты NAND-флэш с применением 90-нм техпроцесса.
Предстаители корпорации пока не назвали точных сроков ввода фабрики в эксплуатацию, однако отметили, что серийное производство 8 Гбит микросхем NAND-флэш планируется начать уже в 2006 году, а первые образцы этих компонентов и вовсе будут представлены уже к концу текущего года.

Корпорация Samsung Electronics в настоящее время является лидером среди мировых поставщиков флэш-памяти, и ее доход в этой отрасли в первом квартале 2004 года составил $907 млн. Во втором квартале объем продаж ее продукции несколько упал, однако снижение с 23,6% до 21,2% все же не на много уменьшило ее долю рынка.

©1997-2024 Компьютерная газета